机译:由于拓扑绝缘子Bi $ _ {2} $ Te $ _ {3} $通过分子束外延在Si(111)上生长的薄膜中的表面台阶而导致的畴形成
机译:通过分子束外延在Si(111)上生长的拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜中由于表面台阶而形成的畴
机译:通过分子束外延在Si(111)上生长的拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜中由于表面台阶而形成的畴
机译:抑制分子束外延生长Bi2Te3拓扑绝缘体薄膜中的双畴
机译:通过分子束外延在Si(111)和Si(001)衬底上生长的γ-Al2O3薄膜的同步辐射和常规X射线源光学调查
机译:分子束外延在6个氢碳化硅衬底上生长的氧化镁纳米薄膜的工艺建模与化学计量分析
机译:控制Si(111)表面上分子束外延生长的In-Bi原子膜的极性
机译:拓扑绝缘体Bi2se3(111)和(221)薄膜的分子束外延
机译:表面台阶对拓扑绝缘子分子束外延的影响